- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 11/16 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
Détention brevets de la classe G11C 11/16
Brevets de cette classe: 5450
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
458 |
Kioxia Corporation | 9847 |
424 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
422 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
249 |
Qualcomm Incorporated | 76576 |
239 |
TDK Corporation | 6306 |
199 |
Everspin Technologies, Inc. | 474 |
182 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
181 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
176 |
Intel Corporation | 45621 |
165 |
Integrated Silicon Solutions, (Cayman) Inc. | 220 |
147 |
Avalanche Technology, Inc. | 299 |
129 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
97 |
Sony Corporation | 32931 |
90 |
JPMorgan Chase Bank, National Association | 10964 |
85 |
Tohoku University | 2526 |
82 |
United Microelectronics Corp. | 3921 |
71 |
Toshiba Corporation | 12017 |
70 |
Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
66 |
Centre National de La Recherche Scientifique | 9632 |
55 |
Autres propriétaires | 1863 |